沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究
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- 2021-04-27
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沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。
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