首页 > 工程造价 >造价学术 >造价其他资料 > 沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM

沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM

原价 100 积分

促销价 50 评分 4.5 积分

*温馨提示:该数据为用户自主上传分享,如有侵权请 举报联系客服处理。
报错
  • 详情
  • 2021-04-28
  • 简介
  • pdf
  • 876KB
  • 页数 6P
  • 阅读 76
  • 下载 29
随着微电子行业的发展,微处理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作频率越来越高等),这就要求其电流不断增大。同时,为了降低功耗,电源电压必须不断降低。下一代处理器的供电电压将会降到1.1V~1.8V,电流处理能力将达到

对不起,您暂无在线预览权限,如需浏览请

立即登录