一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路
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- 2021-04-28
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在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响;通过两个串联的二极管提高,减小运放失调的影响。该电路基于CSMC0.35um DPTM工艺,使用Spectre仿真该电路得到结果为,常温下输出电压为1.23V,在-20℃～80℃温度范围内温漂为10PPM/℃,在4V到7V范围内电源抑制比为0.01V/V,达到了设计的预期目标。
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黎***
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土建 装饰 园林 电气
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