600伏垂直沟结栅高速场效应晶体管
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- 2021-09-10
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随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高压高速脉冲源的固体化、小型化。这就推动了高压大电流高速半导体功率器件的发展。经过多年的努力,取得了很大进展,并已成为当前大功率半导体器件发展的一个引人注目的研究方向。 目前大力推广应用的器件主要有垂直沟道硅MOS场效应管,而高压垂直沟道结栅场效应晶体管的开发研制则近几年才开始。由于结栅场效应管是一种耗尽型器件,极间电容小,器件的开关速度优于MOS器件。在需要产生极窄宽度的高压脉冲场合下,垂直沟道结栅高压场效应晶体管是理想的固体器件。其优越的开关性能、温度特性不是双极型或MOS器件可以轻易取代的。
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