用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料
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- 2021-09-10
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用固态源分子束外延方法，在 ＧａＳｂ衬底上成功地生长出四元系 Ⅲ—Ｖ族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料，并用这些材料制备了 ２μｍ波段室温准连续奔波导 ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱。
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