白光LED用Ba0. 955 Al2 Si2-x GexO8 :Eu2+荧光粉的晶体结构和光谱特性研究
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- 2021-09-10
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采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ba0．955Al2Si2-xGexO8：Eu^2＋（x=0．0～1．0）系列荧光粉，研究了Ge^4＋置换Si^4＋对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge^4＋以类质同相替代Ba长石（BaAl2Si2O8）晶格中的Si^4＋形成连续固溶体，晶胞参数a、b、c、β和晶胞体积V随Ge^4＋置换量呈线性递增。荧光激发谱为宽带，位于230～400nm处，可拟合成4个峰，最大峰值位于332nm；随着Ge^4＋置换量的增加，半高宽（FWHM）从93nm减小到80nm。发射光谱位于375～600nm，可由422nm和456nm两峰拟合而成，最大峰值位于434nm；随着Ge^4＋置换量Si^4＋进入基质晶格，造成EuO距离变小，发光中心Eu^2＋所处晶体场增强，5d轨道能级分裂变大，最低发射能级下移，两拟合峰均线性红移。
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