全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
100 积分
50
评分
4.6 积分- 详情
- 2021-09-10
- 简介
pdf
- 466KB
- 页数 未知
- 阅读 100
- 下载 30
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计 466KB
巧用单刀双掷开关 729KB
5 mm高隔离鳍线单刀双掷开关 686KB
C波段大功率单刀四掷收发开关的设计 355KB
毫米波单刀双掷开关的设计与制作 699KB
DC~35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路 551KB
双通道单刀双掷模拟开关的设计 14.6MB
五步厘清单刀双掷开关的设计和连接 91KB
五步厘清单刀双掷开关的设计和连接 86KB
一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片 681KB