氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏
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- 2021-09-19
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美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm~(-2)。
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