渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究
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- 2021-09-19
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通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0-16T磁场环境、2-320K温区的磁致电阻效应研究，以及与Cemox磁效应的对比分析，得到以下实验结果：在2-10K，渗碳陶瓷磁效应变化比较明显，随温度的降低而升高，随场强近似正系数线性变化，且温度越低，变化率越大；在2-10K，渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差，且场强越高，误差越大，误差随温度出现了近似V字形的变化，在7K处误差到达了最高值，16T、7K处的误差为-0．877K；在2-14K，渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大，在50-300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。
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