改善UHV/CVD外延生长环境提高GeSi/Si材料性能有效方法
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- 2021-09-20
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本文阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。
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