焙烧对工业微硅粉除碳效果及结构特性的影响
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- 2021-04-27
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采用焙烧法除去微硅粉中游离碳杂质,同时用多种表征手段研究焙烧温度对微硅粉性能影响。结果表明:碳含量随焙烧温度升高呈下降、稳定、再下降、最后稳定的阶梯型变化趋势,焙烧温度大于950℃,微硅粉中游离碳含量、SiO_2含量以及微硅粉失重率趋于稳定,分别为0.05%、83.78%、4.82%。焙烧过程中微硅粉的性质发生了明显变化。微硅粉平均粒径随焙烧温度逐渐增大,从焙烧前的0.490μm增大到1050℃焙烧2 h后的0.817μm;微硅粉圆度随焙烧温度升高而下降,以850℃为界,焙烧温度低于850℃微硅粉保持原始的球状形貌,焙烧温度高于850℃微硅粉颗粒逐渐变为无规则块状;比表面积随焙烧温度升高而增大,焙烧温度大于850℃微硅粉开始结晶,比表面积随之迅速下降直至无法测得。
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