超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷
100 积分
50
评分
4.3 积分- 详情
- 2021-04-27
- 简介
pdf
- 610KB
- 页数 5P
- 阅读 84
- 下载 37
借助两面顶超高压设备,通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度>60%的SiC陶瓷生体。在低压流动氮气保护下,无压烧结获得了晶粒尺寸在200nm左右的高致密的SiC陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析。结果表明:超高压处理能够提高坯体及烧结体的致密度,并有助于抑制晶粒的长大。添加12%烧结助剂[Al2O3(平均粒度约为80nm)和Y2O3(平均粒度约为50nm)],经4.5GPa,6min超高压成型的SiC样品,在1850℃或1900℃烧结0.5h后的相对密度分别达到95.3%和98.3%。这种样品的烧结致密化机制为Y3Al5O12液相烧结。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
无压烧结碳化硅陶瓷环 48KB
超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷 610KB
无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计 8.8MB
反应烧结碳化硅陶瓷素坯连接的研究 500KB
碳纤维增强多孔型常压烧结碳化硅及其制备方法 190KB
碳化硅陶瓷板上熔融煤灰侵蚀特性的实验研究 206KB
鸡东县引进石墨深加工、碳化硅陶瓷材料等项目 164KB
碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集 438KB
用有机聚合物连接碳化硅陶瓷及陶瓷基复合材料 927KB
碳化硅质结构陶瓷材料的制造、性能和使用范围 1.2MB