SnO_2/硅灰石抗静电材料的制备及性能
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- 2021-04-27
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以硅灰石为原料,五水四氯化锡为沉淀包覆剂,采用化学沉淀法,制备了一种纳米SnO2/硅灰石复合抗静电粉体材料;采用比表面积仪、粒度仪、白度仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、透射电子显微镜和红外光谱仪对复合材料进行了表征,并探讨了复合粉体的抗静电机理。结果表明:硅灰石表面均匀地包覆了一层纳米SnO2,比表面积由3.2 m2/g提高到4.7m2/g,中位径D50由7.62μm降低到7.01μm,电阻率从10.683k.cm降到了2.533k.cm。
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