共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)
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- 2021-04-28
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在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。
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wei2899***
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