条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
100 积分
50
评分
4.7 积分- 详情
- 2021-04-28
- 简介
pdf
- 454KB
- 页数 4P
- 阅读 100
- 下载 30
采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量。SiLED的正向偏置时开启电压为0.9V,反向偏置时在15V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时,10V,100mA电流下所得输出光功率为12.6nW,发光峰值在758nm处。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析 454KB
LED条形屏的制作 157KB
LED设计报告 32KB
LED碳化硅衬底基础概要 12KB
条形基础 164KB
LED条形温度计制作 2.3MB
条形风口和条缝风口 58KB
挖条形基础 6KB
LED条形显示屏直通连接的数据组织方式 837KB
沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器 320KB