980nm半导体激光器高反膜的优化设计
- 详情
- 2021-04-28
- 简介
- 485KB
- 页数 4P
- 阅读 83
- 下载 35
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
对不起,您暂无在线预览权限,如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
980nm半导体激光器高反膜的优化设计 485KB
980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器 1.4MB
多芯片半导体激光器光纤耦合设计 343KB
半导体激光器输出特性的影响因素 346KB
808nm大功率半导体激光器光纤耦合模块系统 366KB
880nm半导体激光器列阵及光纤耦合模块 1.7MB
半导体激光器P-I特性测试 35KB
基于Zemax半导体激光器与单模光纤耦合系统设计 368KB
高功率半导体激光器光纤耦合模块的可靠性研究 626KB
半导体激光器温度控制模块的设计 984KB