CdSiP_2单晶生长及防爆工艺研究
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- 2021-09-10
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对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚。通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率。同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达14 mm×32 mm的CdSiP2单晶体。X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500~7500 cm-1波数范围的红外透过率达55%,吸收系数为0.10~0.17 cm-1,电阻率1.3×107Ω·cm。
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boyue123***
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