低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究
100 积分
50
评分
4.5 积分- 详情
- 2021-04-27
- 简介
pdf
- 816KB
- 页数 4P
- 阅读 91
- 下载 33
横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究 816KB
沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究 823KB
内沟槽环件辗压成形工艺模拟研究 381KB
三角形沟槽旋成体表面减阻性能的数值模拟 765KB
Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET 792KB
Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET 79KB
镀锌钢板电阻点焊涂层电极与普通电极寿命分析 2.2MB
惠斯通电桥测电阻 94KB
矩形无喉段量水槽水力特性数值模拟研究 225KB