沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究
100 积分
50
评分
4.7 积分- 详情
- 2021-04-27
- 简介
pdf
- 823KB
- 页数 5P
- 阅读 68
- 下载 28
为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trench MOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trench MOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究 823KB
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)——减小器件优值FOM 876KB
Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET 792KB
低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究 816KB
Rohm发布首款沟槽式碳化硅MOSFET 46KB
内沟槽环件辗压成形工艺模拟研究 381KB
沟槽式MOSFET可有效延长移动装置电池寿命 3.6MB
带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET 55KB
复合型栅氧化层薄膜双栅MOSFET研究 361KB
对使用铜丝键合的功率MOSFET进行失效分析 5.5MB