Rohm发布首款沟槽式碳化硅MOSFET
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- 2021-09-19
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Rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅MOSFET。与传统平面式碳化硅MOSFET相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设备的功率损耗,如工业用转换器和电源,电源和太阳能电力系统的电力调制器,太阳能功率系统调制器。近些年,世界范围内越来越多的研究开始关注电力供应的解决方案,其中主要研究电源供应的转换和已产生电力的高效输运。碳化硅功率器件因为能
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