高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路
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- 2021-04-28
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设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。
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