高质量二维电子气材料研制及其器件应用
100 积分
50
评分
4.4 积分- 详情
- 2021-09-10
- 简介
pdf
- 401KB
- 页数 未知
- 阅读 99
- 下载 34
高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超过10~6cm~2/V·s的2DEG材料可用于研究分数量子霍尔效应。高迁移率和高载流子面密度的2DEG材料可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMT)、超高速数字集成电路(VHSIC)和微波毫米波单片集成电路(MIMIC)等超高频、超高速微电子器件和电路,它们被广泛应用在雷达、制导、电子对抗、光纤通讯和数字微波通讯等领域。
对不起，您暂无在线预览权限，如需浏览请
立即登录热门商品
相关推荐
高质量二维电子气材料研制及其器件应用 401KB
基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件 579KB
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 333KB
NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料 484KB
RF—MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 136KB
智能电子式电动机保护器高质量 282KB
ESD+电子器件防静电培训材料 12.6MB
设计高质量保证体系和保证高质量地要求措施 83KB
推动高质量发展发言 9KB
常用建筑材料高质量指标 1.1MB