RF—MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料
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- 2021-09-20
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用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF－MBE）在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料，所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×10^17cm^-3，相应的电子迁移率为177cm^2/(V·s）；GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为6′；AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm^2/(V·s），相应的电子气面密度为7.6×10^12cm^-2；用此二维电子气材料制作的异质结肠效应晶体管（HFET）室温跨导达50mS/mm（栅长1μm），截止频率达13GHz(栅长0.5μm）。
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土建 装饰 电气 给排水
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