NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料
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- 2021-09-10
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介绍了用NH3 MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN AlN GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为 30 0cm2 Vs。二维电子气材料的迁移率为 6 80cm2 Vs(RT)和 1 70 0cm2 Vs(77K) ,相应的二维电子气的面密度为 3.2× 1 0 13cm- 2 (RT)和 2 .6x1 0 13cm- 2 (77K ) .
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